指以莫来石（化学式 \(3\text{Al}_2\text{O}_3 \cdot 2\text{SiO}_2\)）为主晶相的陶瓷材料，经特殊工艺优化后用于制造多层陶瓷电容器（MLCC）等电子元件。其核心特性是低介电损耗、高温度稳定性及优异的抗热震性，适用于高频、高温电路环境。  

1. 材料特性  

组成与结构：莫来石属斜方晶系，晶体呈针状或柱状，理论密度约3.2 g/cm³，熔点高达1910℃。其热膨胀系数低（\(5 \times 10^{-6}\)/K），高温下强度不衰减，且化学稳定性优异。  

电学性能：介电常数中等（通常6-8），但介电损耗极低（\(\tan \delta < 0.0005\)），尤其适合高频电路；绝缘电阻高（>\(10^{12} \ \Omega \cdot \text{cm}\)），可承受高压环境。  

2. 制备工艺  

原料与配方：采用高纯氧化铝（\(\text{Al}_2\text{O}_3\)）与二氧化硅（\(\text{SiO}_2\)）粉体，通过固相反应合成莫来石相。为优化电容性能，常添加\(\text{BaO}\)、\(\text{CaO}\)等碱土金属氧化物降低烧结温度（1250-1500℃）。  

成型技术：包括干压、注浆或等静压成型，结合流延工艺制备超薄陶瓷膜片（用于MLCC叠层），最终高温烧结致密化。  

3. 在电容器中的应用  

多层陶瓷电容器（MLCC）：莫来石陶瓷膜片印刷金属电极（如银、钯）后叠层共烧，形成微型化、大容量的独石电容（容量范围10 pF–10 μF）。  

功能定位：  

高频电路：因低损耗特性，用于射频耦合、谐振电路（替代云母电容）。  

高温环境：耐热性优于钽电容，适用于汽车电子、航空航天设备。  

基板与封装：作为集成电路封装材料，可减少信号延迟17-20%。  

 4. 应用现状与局限  

主要领域：  

高频高压绝缘子、线圈骨架、电容器外壳（刚玉-莫来石复合瓷）。  

碳膜电阻基体（利用其表面微细结构沉积碳膜）。  

局限：介电常数偏低（对比X7R类电容），难以实现超高容量；机械强度弱于氧化铝瓷。